【摘 要】
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分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 -1100cm^-1的波数范围内
【机 构】
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北京理工大学材料科学研究中心,石家庄经济学院材料研究所,石家庄铁道学院材料科学与工程学院
【基金项目】
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The project supported by the National Nature Science Foundation of China（ No. 20471007 ）
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分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 -1100cm^-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带。它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用。另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移（蓝移约4nm）,这可能和晶须尺寸的少许差别有关。至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因
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