论文部分内容阅读
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.
氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响
【摘 要】
：
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退
【机 构】
：
浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
：
材料科学与工程学报
【发表日期】
：
2003年3期
其他文献
在单晶硅表面成功地获得了自组装单层薄膜(MPTS-SAM),并将薄膜表面的巯基(-SH)完全氧化成磺酸基(-SO3H),从而获得了磺酸化的MPTS-SAM.采用静电自组装技术成功使ZrO2纳米微粒