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建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触处的界面复合电流，基区体内复合电流，以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响。
发射极—基极—发射极结构PNP型AlGaAs／GaAs HBT电流增益的理论分析
【摘 要】
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建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :6 9176 0 33)&&
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