【摘 要】
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<正> 1.引言半导体Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族量子阱中受激发载流子驰豫并被捕获至势阱或杂质能级中形成自由激子或自陷激子的动力学过程,与这些材料的光电子特性密切相关。研究捕获的
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<正> 1.引言半导体Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族量子阱中受激发载流子驰豫并被捕获至势阱或杂质能级中形成自由激子或自陷激子的动力学过程,与这些材料的光电子特性密切相关。研究捕获的机制、控制捕获的过程,改善材料的特性,例如调整发光波长,提高荧光效率,加速光电响应速率等等,已成为近年来光电信息科学技术中的重要课题。本项目的主要研究内容是发展多种波长的飞秒与皮秒激光光谱技术并用于研究GaAs和ZnSe量子阱材料中载流子的超快驰豫和捕获动力学过程,为解其物理机理和研制高速光电子器件提供新的资料。
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