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半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。
离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化
【摘 要】
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半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大
【机 构】
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厦门吉顺芯微电子有限公司
【出 处】
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中国新技术新产品
【发表日期】
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2018年11期
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