【摘 要】
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在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在
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在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３～１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光电增益为７１１３，４０～５０ｎＷ光功率时光电增益为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。
DC parameters of high-gain pass-through AlGaAs / GaAs phototransistor were tested at nW ~ μW optical power: photoelectric sensitivity, optical gain and current gain. A peak wavelength of 830nm AlGaAs / GaAs semiconductor laser as a light source, coupling and attenuation by the fiber to obtain a variable optical power. The results show that at 3 ~ 14V operating voltage, 1μW incident light power when the photoelectric gain of 7113,40 ~ 50nW optical power 3693, which is higher than the same type of photodetector reported at home and abroad.
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