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讨论了提升R点系统OSNR门限的3种方法以及在偏振复用相干检测技术下Q裕度的调整范围;最后论证了芯片技术是商用SD-FEC的关键。
100G DWDM优化OSNR的技术
【摘 要】
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讨论了提升R点系统OSNR门限的3种方法以及在偏振复用相干检测技术下Q裕度的调整范围;最后论证了芯片技术是商用SD-FEC的关键。
【机 构】
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上海贝尔股份有限公司
【出 处】
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邮电设计技术
【发表日期】
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2012年5期
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