【摘 要】
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采用磁控溅射方法，在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜，研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响。结果表明，薄膜的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50501004）
论文部分内容阅读
采用磁控溅射方法，在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜，研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响。结果表明，薄膜的畴结构显著依赖于张应力，其磁畴宽度随张应力增加而增加；张应力导致FeCoSiB薄膜内形成较强的磁各向异性，其各向异性随应力的增大而增大。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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