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研究了（100）单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜，在EPW腐蚀液中因（100）单晶硅腐蚀速率各向异性，在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜．基于EPW腐蚀液中（100）单晶硅存在严重凸角削角，采用带锯齿（9个、20个、36个）结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜，通过采用SEM观察，随腐蚀时间增加，圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形，而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形．结果表明，利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象，能够实现近似圆形硅膜的制作．