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在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频特性的影响，并对实验现象进行了理论分析．
发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响
【摘 要】
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在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频特性的影响，并对实验现象进行了理论分析．
【机 构】
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四川大学物理学院,中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年7期
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