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针对基于马赫一曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题，采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型，通过数值仿真方法，研究了上下两臂对称和不对称两种情况下，调制损耗对硅基光调制器非线性的影响．对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型，发现在常规大信号情况下，当光调制器偏置相位为0时，调制损耗使得三次谐波增强，四次谐波减弱；当光调制器偏置相位为n／2时，调制损耗使得二次和四次谐波增强；而在小信号情况下，三次和四次等高次谐波不明显，在光调制器偏置相位为0时，调制损耗在光调制器上下两臂不对称情况