论文部分内容阅读
深亚微米半导体技术的发展使芯片速度更快、功耗更低、片上功能更丰富,而且成本更低,但干扰噪声对混合ASIC功能和性能的影响也越来越大。目前,噪声来源很多,解决方法也是多种多样。为了提高电路内部对噪声的抑制能力,应广泛采用抑制噪声源、提高电源／地与衬底的稳定性、屏蔽、保护环、差动信号输入等多种降噪技术。任何一种降噪技术都不可能消除全部噪声,必须多种技术相互结合使用,才能从电路本质上提高电路对噪声的抑制能力。