【摘 要】
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南京电子器件研究所最近研制成功L波段250 W宽带硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.2～1.4 GHz 频带内,脉宽150 μs,占空比10%和40 V工作电压下,全带内脉冲输出功率在240～300 W之
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南京电子器件研究所最近研制成功L波段250 W宽带硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.2～1.4 GHz 频带内,脉宽150 μs,占空比10%和40 V工作电压下,全带内脉冲输出功率在240～300 W之间,功率增益大于7.8 dB,效率大于50%.器件设计为梳条状结构,单元间距6 μm,发射极和基极金属条条宽2.4 μm,金属条间距0.6 μm.每个器件由6个尺寸为1 600 μm×750 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个子胞.整个器件包含12个子胞、20个电容和200多条连接金丝匹配而
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