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用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，在室温下测量了Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗／氧化硅纳米多层膜的发光中心，并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究，研究表明锗／氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心。
Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光机制研究
【摘 要】
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用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，在室温下测量了Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗／氧化硅纳米多层膜的发光中心，并用量子限制-发
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年1期
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