量子限制相关论文
研究了p型多孔硅(PS)的输运性质.实验证明PS中存在两条导电通道,从金属电极注入到PS中的绝大多数电子将通过杂质能级(低阻通道),而......
随着信息技术的迅猛发展，用光代替电作为信息的载体，加快信息的传递速度，已成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。光电子信息......
在共混的两种共轭聚合物中 ,采用分子自组装技术制备了嵌段共轭聚合物量子线的异质结构 ,通过室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱......
研究了Ｚｎ１－ ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 多量子阱Ｓｔａｒｋ 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，......
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a......
金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性，因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制......
利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5......
用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，在室温下测量了Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗／氧......
介绍了半导体量子点材料禁阻类型,详细阐述了共熔法、溶胶-凝胶法、离子注入法等半导体量子点玻璃材料的制备方法,探讨了半导体量......
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.......
对长期存放在空气中的多孔硅样品和即时制备的多孔硅样品分别在室温～180℃下进行了光致发光(PL)温度效应的研究.两类样品的PL呈现不......
使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没......
Canham的文章[1]发表以后,引起了世界范围的研究热潮,目的是实现硅基的集成光电子技术.其中一个主要的研究方向是多孔硅的发光机制......
文章介绍了能源效率、热电效应以及纳米技术这三者之间的关系。文章首先讨论了能源效率的重要性以及余热浪费对能源效率的影响，然后......
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法.它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和......
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950......
在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分......
