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论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有所增大,并引入了一个与等离子体氮化缺陷有关的电子陷阱能级。适当地退火可以减少等离子体氮化对SiO_2中电子陷阱的影响。
等离子体氮化SiO2膜中电子陷阱的研究
【摘 要】
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论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有
【机 构】
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东南大学电子工程系,东南大学电子工程系南京通讯工程学院
【出 处】
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东南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1989年2期
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