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无论湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。
光刻胶去胶难度渐增
【摘 要】
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无论湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。
【机 构】
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ContributingEditor
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年10期
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