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以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜（SEM）对材料的结构进行了研究。结果表明薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe（a-SiGe）转变为微晶SiGe（μc-SiGe）材料。将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电