含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)03电容器的制备及铁电性能研究

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采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以‰.5Sr0.5C003(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(zr0.4,Ti0.6)03(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSC0/PZT/LSCO电容器在5V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度P,为35.5μC/cm2,矫顽电压K为1.42V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。
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