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针对低电离层幅度调制加热过程中甚低频／极低频（VLF／ELF）激发效率较低的问题，该文利用低电离层调制加热模型分析方波幅度调制加热过程中占空比和加热频率对VLF／ELF辐射效率的影响，在此基础上获得最大VLF／ELF辐射效率下的优化占空比和加热频率选择范围．研究表明，随着调制波占空比的增大，激发的VLF／ELF等效辐射源强度先增大后减小，占空比的优化范围为40％～70％；随着加热频率的增大，激发的VLF／ELF等效辐射源强度先增大后减小，加热频率的优化范围为（0．8～0．9）倍低电离层临界频率．