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较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况，并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析，发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高，改善了In2O3的气敏性能，同时还探讨了In2O3对不同气体（H2、H2S、NO2、O3、Cl2、C2H5OH）的敏感机理。