【摘 要】
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测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄
【机 构】
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中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所 乌鲁木齐市,乌鲁木齐市,乌鲁木齐市,乌鲁木齐市
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测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄膜中空穴的迁移率为1.25cm~2v~(-1)(?)~(-1),且具有热激活性质。由此可以推断,射频溅射CoMnNiO非晶薄膜在常温下发生跳跃导电。
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