【摘 要】
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针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法.基于SMIC 40 nm CMOS工艺的仿真结果表明,
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海,200050
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划(973计划);国家集成电路重大专项;国家自然科学基金;上海市科学技术委员会资助项目
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针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法.基于SMIC 40 nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90 ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30 pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小.另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术.
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