1.064μm脉冲高功率量子阱激光器阵列

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xia__1989

【摘要】

：

采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构,研制出了激射波长为1.064μm的激光器线阵列.在200ns脉宽、100kHz和50A工作条件下,5mm线阵列的输出功率达到了35W,将三条线阵

【作者】

：

【机构】

：

河北半导体研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构,研制出了激射波长为1.064μm的激光器线阵列.在200ns脉宽、100kHz和50A工作条件下,5mm线阵列的输出功率达到了35W,将三条线阵列进行了二维组装,获得了102W的峰值功率.

其他文献

制备了ITO/CuPc/NPB/TPBi/Alq3/MgAg有机发光二极管，由于阻挡层TPBi对空穴的阻挡作用，器件的电致发光为NPB特征光谱，实现了蓝色发光。器件最大亮度和最大流明效率分别为3 700 cd

期刊

介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案.采用InP-空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510nm

期刊

介绍了利用高效、大功率H桥驱动集成块DRV592作为热电致冷器的驱动器构成大功率激光二极管恒温致冷系统的方法.该系统温度探测器利用软件实现负温度系数的热敏电阻的非线性校

期刊

研制了一种适用于APON系统的155 Mb/s突发式光发射模块,选用朗讯公司 LUBLD155作为激光器驱动芯片,通过采用峰值检测的自动功率控制技术控制发射模块的输出光功率.测试结果显

期刊