超薄体MOSFET的结构优化(英文)

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对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U TB器件 The structural parameters of U TB device are optimized, and the direction of UTB device design is given.In the design of U TB device, there are three important parameters, that is, the height of the source and drain of the device is raised, and the GeSi - x), and the thickness of the silicon film, and the influence of these three structural parameters on the device performance was simulated and analyzed. The optimization direction of the structural parameters of the device was given, and the molar Mo Percentage and feasible silicon film thickness.According to the simulation analysis, it is found that the U TB device with excellent performance can be obtained by selecting the structural parameters of the device reasonably
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