主动脉夹层是一种较为常见且死亡率极高的心血管疾病,严重威胁着人们的生命健康。胸主动脉腔内修复术(TEVAR)具有创伤小、病人恢复快、并发症少、早期疗效安全有效等优点,目前已被推荐成为治疗B型主动脉夹层的主要治疗方法。但是覆膜支架在植入后也存在一些并发症,如临床发现部分病人在植入覆膜支架之后会出现新的破口并引发逆行型A型夹层,而这可能跟支架植入后血管所受应力环境的改变有关。为了研究覆膜支架植入后引起新发破口的原因,本文首先提出了一种将覆膜支架植入具有病人特异性几何形态的B型夹层的真腔中有限元虚拟释放的方法;通过动物实验从形态学角度验证了该有限元虚拟释放方法的准确性;然后利用该方法将3款临床上常用的覆膜支架Talent、V aliant和cTAG虚拟植入同一个B型主动脉夹层中,并分析植入后血管壁上米塞斯应力的分布。发现3款支架植入后最大米塞斯应力均位于主动脉弓近端的裸支架锚定区;Talent和Valiant植入后主动脉弓部的最大米塞斯应力比cTAG大0.1～0.2 MPa。因此,由于覆膜支架植入后最大米塞斯应力的位置与临床上观察到的近端新发破口的位置较为一致,因此最大米塞斯应力可以作为评估新发破口风险的一个参数;通过最大米塞斯应力的比较,认为cTAG比其他两款支架引起近端新发破口的风险更小。