【摘 要】
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为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.61504167),陕西省自然科学基金(Nos.2019ZY-CXPT-03-05,2018JM6010,2015JQ6263),陕西省科技厅人才项目(No.2017KJXX-72)
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为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和
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