【摘 要】
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报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.研究发现HgCdTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、HgCdTe生长条件以及材料组分密切相关.通过
【机 构】
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中国科学院上海物理研究所半导体材料器件研究中心及红外物理国家实验室
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报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.研究发现HgCdTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、HgCdTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波HgCdTe材料EPD平均值达到4.2×105 cm-2,标准差为3.5×105 cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%.可以满足高性能HgCdTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.
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