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为了在碳化硅密封环端面上生长出均匀一致的金刚石涂层，提出了采用三维有限元法模拟基体温度场的方法优化沉积工艺参数。首先，通过在实际沉积系统中的测温实验，验证了仿真结果的正确性。然后，在温度场仿真中分析了热丝直径（D）、热丝间距（S）和工作台冷却水流速（F）等参数对衬底温度场均匀性的影响，进而这些参数被分别优化为0．6mm、16～18mm和30mL／s。此外，通过有限元仿真还分析了热丝弯曲（B）对衬底温度场的影响。最后，通过采用扫描电子显微镜（SEM）和拉曼（Raman）谱仪，对以优化后的参数在碳化硅密封环基