【摘 要】
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使用Matlab软件对N方势垒在偏压下电流随电压的变化关系进行了模拟计算,计算结果表明N方势垒的伏安特性（I-V）曲线上显现出非线性效应和震荡效应.利用溅射方法将Au颗粒沉积在经
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使用Matlab软件对N方势垒在偏压下电流随电压的变化关系进行了模拟计算,计算结果表明N方势垒的伏安特性（I-V）曲线上显现出非线性效应和震荡效应.利用溅射方法将Au颗粒沉积在经过电化学腐蚀处理的硅基片上,得到具有纳米结构的Au膜.采用SEM对基片表面上的金膜进行观察,发现了纳米颗粒的聚集体,样品的I-V曲线测试结果表明：常温下,测得电流在0至1.5 ×10-6A范围内,样品电阻率呈非线性电阻效应和振荡效应；N方势垒模型的模拟计算结果与实验测量结果很好的吻合.
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