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一般比较器往往只能提供固定延迟时间的跳变信号，这样对后级执行电路产生很大的局限性。文章提出一种延迟时间可调的新型电压迟滞比较器设计,电路在1．5μm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺下实现。该比较器的正跳变点电压为1．270V，迟滞电压为3mV，上升延迟时间为20μs，且可以根据需要方便地予以调节。该比较器最小分辨率为±0．1mV。具有结构简单、通用性好和功耗低的特点，可广泛应用于不同的SoC环境。