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CIGS薄膜材料研究进展
CIGS薄膜材料研究进展
来源 :西南民族大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xbq001
【摘 要】
:
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这
【作 者】
:
肖健平
何青
陈亦鲜
夏明
【机 构】
:
西南民族大学电气信息工程学院,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【出 处】
:
西南民族大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2008年1期
【关键词】
:
CIGS薄膜
共蒸发三步法
溅射后硒化
CIGS thin film Three-stage co-evaporation process sputtering
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CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法.
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