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本实验通过双掺杂氧化镝和氧化钨于氧化铋与单掺杂氧化铒于氧化铋所制成的两种电解质进行对比。利用粉末X射线衍射对合成材料进行相分析,利用交流阻抗谱方法测试、计算试样的电导率。研究结果表明,烧结温度选取在800℃时,ESB电解质的结晶度要比DWSB电解质的结晶度要好,并且双掺杂DWSB电解质的晶格常数明显比单掺杂ESB电解质的晶格常数要大。与单掺杂的ESB、DSB、WSB电解质相比,双掺杂的DWSB电解质其结构与δ-Bi2O3的内在结构更加的相近,致使双掺杂的电解质要比单掺杂的电解质的电导率要高。