论文部分内容阅读
根据PN结导通电压及带隙电压温度特性的非线性，分析了经一阶线性补偿后带隙基准的残余温度特性及其变化规律；针对经典高阶补偿的基本原理和实现方案，分析了非线性感应检测高阶补偿结构实现的难点。在此基础上，提出了一种新型两段式高阶温度补偿带隙基准的电路结构，基于CSMC0．5μm CMOS工艺的Cadence Spectre模拟结果表明，在-40～110℃范围内，温度系数降低到4ppm／℃以内。