Ni＋离子注入AlN薄膜的磁性研究

来源 :华北水利水电学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：olivehht

【摘要】

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用40kV的Ni＋离子在室温下对玻璃衬底上生长的AlN薄膜进行离子注入，注入剂量为5．0×10^16ions／cm^2，在N2气氛下分别经400℃，600℃退火1h后，用超导量子干涉仪分析样品磁学特性．结果

【作者】

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徐进霞许磊刘雅娴

【机构】

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武汉东湖学院,华北水利水电学院

【出处】

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华北水利水电学院学报

【发表日期】

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2011年4期

【关键词】

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ALN 稀磁半导体离子注入超导量子干涉仪 AlN dilute magnetic semiconductor ion implantation SQUID

【基金项目】

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基金项目：河南省教育厅自然科学基础研究计划项目（20098150016）,河南省科技厅基础与前沿技术研究计划项目（112300410261）.

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用40kV的Ni＋离子在室温下对玻璃衬底上生长的AlN薄膜进行离子注入，注入剂量为5．0×10^16ions／cm^2，在N2气氛下分别经400℃，600℃退火1h后，用超导量子干涉仪分析样品磁学特性．结果表明，Ni注入AIN薄膜未退火样品显示铁磁性；经400℃退火后铁磁性增强，居里温度大于室温；经600℃退火后样品铁磁性消失显示为顺磁性．结合透射电子显微镜对注入样品进行微结构研究，揭示Ni注入是进行AlN磁性掺杂的有效手段．在Ni注入AlN制备得到的稀磁半导体中，Ni和相邻的N之间的P—d杂化

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