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美国橡树岭国家实验室新近报道，他们采用经济快速的脉冲激光沉积法制得了高质量的均匀材料薄膜。这种薄膜可以是外延生长的（晶态）也可以是非晶态的，这要取决于脉冲激光的入射速度、基片的温度和组织。例如在GaAs基片上沉积形成了外延生长的和非晶态的镓薄膜，沉积室的真空度大约保持在1．33×10^-4Pa。典型的沉积速度大约相当于传统分子柬沉积法的100倍，