【摘 要】
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将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构，将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3．3V／5V0．5μm N-阱CMOS工艺中，没有增加任何工艺
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将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构，将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3．3V／5V0．5μm N-阱CMOS工艺中，没有增加任何工艺步骤，也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P＋、N＋埋层，使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试，可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn〉23V～25V，P管击穿BVdssp〉19V。同时，文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。
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