Photo-induced doping effect and dynamic process in monolayer MoSe2

来源 :半导体学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:wsttkl
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Dynamic processes of electron transfer by optical doping in monolayer MoSe2 at 6 K are investigated via measuring time resolved photoluminescence (PL) traces under different excitation powers.Time-dependent electron transfer process can be analyzed by a power-law distribution of t-α with α =0.1-0.24,depending on the laser excitation power.The average electron transfer time of approximately 27.65 s is obtained in the excitation power range of 0.5 to 100 μuW.As the temperature increases from 20 to 44 K,the energy difference between the neutral and charged excitons is observed to decrease.
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