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半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备,因其工艺过程复杂、工艺影响因素多而带来诸多的不确定性。本文阐述的是一种基于气体分析的工艺诊断技术,该技术通过分析反应腔内气体对工艺进行实时监控,以达到工艺过程分析、减少工艺诊断时间,并最终达到提高工艺质量和减少设备停机时间的目的。
基于气体分析的工艺诊断技术
【摘 要】
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半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备,因其工艺过程复杂、工艺影响因素多而带来诸多的不确定性。本文阐述的是一种基于气体分析的工艺诊断技术,该技术通过
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2016年5期
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