【摘 要】
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二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2 N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究.结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2 N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2 N-Sc、Ti2 N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2 N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9％,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在
【机 构】
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遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义 563006;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550025
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二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2 N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究.结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2 N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2 N-Sc、Ti2 N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2 N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9％,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值.
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