【摘 要】
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报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 .在弱光范围 ,光响应随光
【机 构】
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报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 .在弱光范围 ,光响应随光强的变小呈线性减弱 ,且光响应的弛豫时间变长 .
The UV photoconductivity of undoped and Mg-doped n-type GaN thin films prepared by MOCVD is reported.The results show that these n-type samples have significant UV response and short photoresponse relaxation time. In the low light range, the light response decreases linearly with decreasing light intensity, and the relaxation time of light response becomes longer.
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