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掺Ｃｅ硅酸钆（Ｃｅ∶Ｇｄ２ＳｉＯ５）晶全具有发光效率高，响应速度快、不潮解、抗辐照和耐高温等优异性能，是一种综合性能好，具有实际应用价值的闪烁晶体。本文用中频感应提拉法生长出尺寸为Φ２８×８０ｍｍ的无色、透明的高质量Ｇｅ∶ＧｄＳｉＯ５晶体。选择合适的工艺参数，消除晶体的解理开裂是生长的关键，其荧光发射峰对应于Ｃｅ＾３＋的５ｄ能级＾２Ｔ２和４ｆ能级＾２Ｆ７／２，＾２Ｆ５／２间跃迁，最经峰位于４３１ｎ