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这篇综述有针对性地对近几年III-V族化合物半导体和其异质结纳米线的生长进行了总结.首先详尽地介绍了单质和异质结III-V纳米线的生长机理,并且讨论了它们常见的晶体结构.然后总结了常见的III-V族纳米线的生长条件和工艺要点,包括生长温度,III/V比例,异质结材料和界面等对纳米线形貌和结构的影响.同时这篇综述也着重介绍了最新发展的表征纳米线晶体结构和物理性能的新技术,如:先进电子显微学、电子衍射、显微拉曼光谱原子探针断层扫描等.最后对纳米线研究和应用的未来发展提出了展望.