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利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta（5nm）/Ni80Fe20（12nm）/Ta（2nm）薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响.采用AFM 测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应.研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH 显著增加.