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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sin)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330emu/cm^3,矫顽力为5.0KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385emu/cm^3,矫顽力为4.7KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结