【摘 要】
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铁电存储器FRAM是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器,应用范围广泛。本文介绍FRAM及其应用,并给出FRAM与MCS-51单片机的接口电路和软件设计。
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铁电存储器FRAM是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器,应用范围广泛。本文介绍FRAM及其应用,并给出FRAM与MCS-51单片机的接口电路和软件设计。
Ferroelectric Memory FRAM is a new type of non-volatile memory with low power consumption, high writing speed, and high endurance, and has a wide range of applications. This article describes FRAM and its applications, and gives FRAM and MCS-51 microcontroller interface circuit and software design.
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技