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借助HP4192A低频阻抗分析仪，分析了低压ZnO压敏陶瓷的C-V特性及介电和损耗特性、添加物对ZnO压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对ZnO晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明：Na+掺杂量增加时，施主浓度基本保持不变，而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加；在空气中退火，样品的施主浓度减少，势垒高度降低；在Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变，而势垒高度下降较大；在音频范围内，ZnO压敏瓷具有很高的介电常数（εr约1 300）；在105～106 Hz范围内，εr下降较明显，与此对应，介质