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利用密度泛函第一原理研究不同氮掺杂方式（10，0）单壁碳纳米管的电子结构．当氮原子取代碳纳米管中的碳原子时，（10，0）单壁碳纳米管转变为n型半导体．当氮原子吸附在碳纳米管表面时，（10，0）单壁碳纳米管转变为p型半导体，同时与吸附氮原子相连碳原子的p轨道上的小部分电子被激发至d轨道上．
氮掺杂（10，0）单壁碳纳米管的电子结构
【摘 要】
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利用密度泛函第一原理研究不同氮掺杂方式（10，0）单壁碳纳米管的电子结构．当氮原子取代碳纳米管中的碳原子时，（10，0）单壁碳纳米管转变为n型半导体．当氮原子吸附在碳纳米管表面时，（10，0）单壁
【机 构】
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吉林大学材料科学与工程学院
【出 处】
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吉林大学学报(理学版)
【发表日期】
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2008年1期
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