【摘 要】
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源。采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能。基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大
【机 构】
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桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室;
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源。采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能。基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大地降低了温漂系数,稳定了输出电压。利用Cadence Spectre EDA软件,对电路进行设计和仿真。结果表明,在-50℃100℃温度范围内,温漂系数仅为2.9×10-6/℃。在0.993V的电压范围内具有稳定的基准输出。在1kHz频率下电源抑制比为-71.28dB。整个带隙基准源的功耗仅为185.9nW。
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