SiC/Mo界面反应的微观结构及对Mo力学性能的影响

来源 :黑龙江科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shiguzxy

【摘要】

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采用XRD、SEM分析测试方法研究在600~1200℃和1800℃真空热处理2 h条件下SiC/Mo界面反应层微观结构,并对SiC/Mo界面反应前后Mo金属的力学性能进行比较。研究表明：在800和1000

【作者】

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李长青张俊才武万良王振廷

【机构】

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黑龙江科技学院材料科学与工程学院

【出处】

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黑龙江科技学院学报

【发表日期】

：

2009年3期

【关键词】

：

Mo2C MO5SI3 Mo5Si3C 界面反应层微观结构 Mo2C Mo5Si3 Mo5Si3C reaction layer microst

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采用XRD、SEM分析测试方法研究在600~1200℃和1800℃真空热处理2 h条件下SiC/Mo界面反应层微观结构,并对SiC/Mo界面反应前后Mo金属的力学性能进行比较。研究表明：在800和1000℃热处理后,Mo与SiC分解的C在表面反应生成Mo2C;在1200℃热处理后Mo表面出现了Mo2C和Mo3Si相,以亚微米颗粒状反应层结构存在;当1800℃热处理后出现了Mo5Si3、Mo5Si3C以及扩散未分解的SiC。采用EDS方法在SiC/Mo界面反应层的断口处确定出Si扩散深度大于C。在600~1

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